利用物质的蒸气压随温度的升高而升高的原理,使之在高真空下受热蒸发后沉积在较冷的基板表面形成超薄膜。高的真空度可以降低升华温度、防止蒸发物质的氧化以及减少与分子之间的碰撞。本升华系统具有独立的有机和金属蒸发腔和传送系统，相互污染小，相互运输过程中无需破坏真空。
真空度可达4*10-4Pa;
适用于制备绝大多数有机和金属超薄膜;
最大可制作基板大小10*10cm2;
适用于有机发光二极管、有机太阳能电池、有机载流子迁移率测试器件等多种有机半导体薄膜器件的制作。