报告人: 韩拯 研究员

中国科学院金属研究所

时间：2018年6月21日（周四） 下午14:00—15:30

地点：北京大学化学学院A区717报告厅.

摘要：

静电调控磁性是自旋电子学中一个重要的研究方向。磁性材料中如果能赋予门电压的调控特性，将会为自旋阀等自旋器件增加一个具有巨大应用前景的调控自由度，从而实现自旋场效应管。这通常要求材料本身具有门电压可调特的半导体特性。目前，能够实现自旋场效应，并成功通过电场调制磁性的体系并不多，包括稀磁半导体、多层磁性薄膜异质结等。

近年来，随着二维范德华材料家族的发展, 各种新物理现象不断涌现。其主要优势之一是由于Z轴维度降低，块体对静电屏蔽减弱，从而可以对本征二维半金属或者半导体构建场效应器件，用来做传感器或者逻辑运算器件。

在范德华材料中，少数层磁性二维半导体材料在各领域得到广泛研究，产生了诸多有趣的物理现象。然而，身为半导体磁性材料，基于该系列材料的场效应器件至今研究甚少，尤其缺乏用静电场调制其磁性的研究。本报告将介绍我们在Cr₂Ge₂Te₆少数层铁磁二维半导体中利用静电调控手段，实现对其载流子和自旋双重特性的双极调控，证实了基于二维范德华铁磁体的自旋场效应器件的可行性。

报告人简介：

韩拯研究员，博导。2007年7月毕业于吉林大学物理学院核物理专业，获理学学士学位。2010年10月至2013年在法国NEEL研究所获得纳米电子学与纳米科技博士学位。随后作为博士后在美国哥伦比亚大学物理系从事范德华人工异质结构的纳电子器件量子霍尔效应和电子光学等物理性能研究。2015年9月至今，在中国科学学院金属研究所开展新型人工纳米器件的量子输运调控研究工作。目前已在Science、Nature Physics、Nature Materials、Nature Communications等杂志共发表SCI论文30余篇，美国授权专利1项。担任Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.、Nanotechnology等多家杂志审稿人。